http://www.niime.ru/press-center/events/516-seminar-issledovaniya-v-oblasti-spintroniki-i-perspektivy-sozdaniya-elementnoy-bazy-na-ee-osnove/ 26 июня Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН и Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» проведут научный семинар «Исследования в области спинтроники и перспективы создания элементной базы на ее основе». Научным руководителем семинара выступит академик РАН Г.Я. Красников. В программе семинара будут заслушаны доклады: 1. Д.ф.-м.н. Юрий Константинович Фетисов (НОЦ «Магнитоэлектрические материалы и устройства»), академик РАН Александр Сергеевич Сигов (Московский технологический университет (МИРЭА)) «Спинтроника: физические основы и устройства». 2. Академик РАН Владимир Васильевич Устинов, к.ф.-м.н. Михаил Анатольевич Миляев (ИФМ УрО РАН) «Металлическая наноспинтроника и элементная база магнитной сенсорики». 3. Чл.-корр. РАН Сергей Аполлонович Никитов, к.ф.-м.н. Александр Владимирович Садовников (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, СГУ) «Стрейнтроника — новая область спинтроники и магноники». 4. Д.ф.-м.н. Олег Евгеньевич Терещенко (ИФП СО РАН) «От полупроводникового спин-детектора свободных электронов к спин-вентильному транзистору». 5. Д.ф.-м.н. Андрей Александрович Фраерман (ИФМ РАН) «Магнитные состояния и транспортные свойства ферромагнитных наноструктур». 6. Д.ф.-м.н. Михаил Владимирович Логунов, чл.-корр. РАН Сергей Аполлонович Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН) «Перспективы развития устройств записи и обработки информации на основе магнитных доменов и доменных границ». 7. Д.ф.-м.н. Александр Игоревич Морозов (МФТИ) «Магниторезистивная память с записью электрическим полем». 8. Д.ф.-м.н. Валерий Владимирович Рязанов (ИФТТ РАН) «Гибридные джозефсоновские структуры для устройств сверхпроводниковой электроники и спинтроники». 9. Д.ф.-м.н. Людмила Сергеевна Успенская (ИФТТ РАН) «Переключение спин-поляризованным током гибридных структур на базе пермаллоя». Регистрация – с 10:30, начало в 11:00. Место проведения - ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Москва, ул. Моховая, 11, корп. 7, 3-й этаж, конференц-зал. Для участия в семинаре необходимо иметь паспорт. Требуется прислать заявку на участие (ФИО полностью, место работы, должность, ученая степень, контактный телефон, адрес электронной почты.) и проезд (марку и госномер автомобиля). Срок подачи заявки – не позднее 19 июня. Заявки направлять ученым секретарям Совета Тельминову О.А. (otelminov@niime.ru, тел. (495) 229-74-97, (916) 693-08-14), Харченко Л.Ю. (kharchenko2009@mail.ru, тел. (916) 566-34-76).